三星错失英伟达合作致HBM落后

深秋的黎明

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7月23日，三星电子的半导体业务正面临双重压力：在先进工艺代工和高带宽内存（HBM）供应方面，均未能获得英伟达等主要客户的大量订单。然而，据韩国当地媒体报道，这一局面本有可能在七年前通过不同的战略决策得以避免。
知情人士透露，英伟达首席执行官黄仁勋曾在2018年秘密到访三星电子，提出在三个关键领域展开深度合作：联合开发先进HBM内存、推进8纳米之后的先进制程代工技术，以及共同推动CUDA软件生态的建设。这三项提议若被采纳，或可为三星在高端半导体市场奠定更坚实的基础。
然而，当时三星集团的实际负责人李在镕正深陷司法调查，导致其无法与黄仁勋会面。这一事件不仅影响了双方高层的直接沟通，也削弱了三星在关键节点上制定长远战略的能力。最终，三星电子拒绝了黄仁勋提出的全部合作方案。
在HBM内存的发展进程中，SK海力士凭借早期与AMD的合作建立了先发优势。尽管三星在HBM2阶段曾一度占据主导地位，但从HBM3世代起，SK海力士再度凭借与英伟达的紧密协作夺回市场领先地位。业内普遍认为，这一转变与当年黄仁勋在未能与三星达成合作后转向SK海力士密切相关。